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c，吸走实验测量的(红点)和DFT计算的能带隙的与平均电位移场(DAV)的关系。北京背景介绍以碳纳米材料为基础的电子学研究一直是学术界和工业界关注的热点。
a，上海外电场作用下CBM和VBM的电荷密度分离。成果简介随着硅基技术达到绝对极限，杭州华东师范大学，杭州澳洲昆士兰大学，上海微系统与信息技术研究所，中国科学院大学，苏州大学，澳门科技大学，宁波大学联合研究小组设计的一种材料可能预示着下一代电子产品将拥有更大的内存、更快的速度和更先进的功能。通过将石墨烯绘制成窄带，吸走已经引入了高达400meV的带隙，但制造过程仍面临重大挑战，载流子迁移率大大低于典型的石墨烯。
广泛可调谐的带隙，北京以及高稳定性、大载流子迁移率和高开/关比的组合，使C3N双层成为碳基FET以及其他电子和光电器件的有前途的材料。尽管已经观察到各种二维材料的大量带隙调制，上海但碳基材料显示出有限的带隙调节。
在1.4Vnm−1的外加电场作用下，杭州AB层的带隙调制变化为0.6eV。
这项研究是重要的一步，吸走但还需要做更多的工作，以更容易地以更低的成本生产这种材料。北京在天然气（甲烷）直接转化制高值化学品和煤基合成气直接制低碳烯烃等研究领域取得重要研究进展。
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